1、主要特点

• 数字化系统协同设计、MEMS工艺制造

• 压力与温度扩散硅元件单片集成

• 优良表面态和时漂特性

• 多开/闭合惠斯登电桥连接形式

• 智能传感器的核心芯片

• 适于表压、绝压、差压与温度组合测量

• 覆盖低、中、高宽压力量程范围

2、主要性能技术指标

序号	项目	规格指标									备注
1	组合敏感类型	表压-温度	绝压-温度			差压-静压-温度				表压-绝压-温度
2	硅晶圆类型	全硅单晶				SOI硅单晶
3	基准压力量程	表压、			绝压			差压
		0～1kPa、2kPa、3kPa、6kPa、10kPa、20kPa、30kPa、60kPa、100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、6MPa、10MPa			100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、 6MPa、10MPa、20MPa、20MPa、40MPa、60MPa、100MPa			0～1kPa、2kPa、3kPa、6kPa、10kPa、20kPa、30kPa、60kPa、100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、6MPa、
	过载能力	≥3倍基准量程（≤10MPa）；≥1. 5倍基准量程（＞10MPa）； ≥1. 25倍基准量程（≥60MPa）					双向≥4倍基准量程				1*
	桥路电阻	3～5kΩ
4	零点输出	≤ ±20mV									2*
5	满量程输出	≥20mV（20kPa、35kPa）；≥30 mV（20kPa、30kPa）；≥50 mV（其它基准量程）									2*
6	准确度	≤ ±0.15%FS （其它基准量程）；≤ ±0.25%FS （≤60kPa、≥60MPa、100MPa）；  ± 0.5%FS（≤10kPa）									3*
7	工作温度	-55～+125℃；-55～+150℃
8	零点热漂移	≤ 6%FS/℃（≤10kPa） ≤ 4%F.S /55℃（其它基准量程）									4*、5*
9	满量程热漂移	≤10%FS/℃（≤10kPa） ≤ 8%F.S /55℃（其它基准量程）									4*、5*
10	PN结硬击穿电压	≥25V(I=10μA档)
11	短期稳定性	±0.05%FS/8h
12	供电电源	恒流0.5～1.5mA,或恒压5V～10V
13	电桥形式	闭桥
14	热敏电阻阻值	40～60kΩ									6*
15	热敏电阻温度系数	≥50Ω/℃									6*
	芯片表面尺度	≤3.5×2.75（mm）		≤2.3×2（mm）					≤1.55×1.55（mm）		7*

注：1^*. 100MPa量程过载为本量程上限；

       2^*. 5VDC恒压激励，恒温25℃；

3^*.非线性数据计算为最小二乘法；    

       4^*. 1mA恒流激励，恒温25℃；

5^*. 55℃温区为-30～25℃或25～80℃；

6^*.可定制；   

7^*.硅片厚度c=500μm。

注：可提供定制服务，如有需求请与营销人员联系。